三星電子が、世界で初めて４０ナノ技術を利用した３２ギガＮＡＮＤフラッシュメモリーの開発に成功しました。
「ナノ」は、１０億分の１を表す単位で、４０ナノは、髪の毛１本の３０００分の１の細さです。またメモリー容量の３２ギガは、世界の人口の５倍にあたる３２８億のメモリー基本素子が爪の大きさに集積しているものです。
このＮＡＮＤフラッシュ１６個を搭載した６４ギガバイトのメモリカードを製作すれば、高解像度写真３万６０００枚、映画４０本、新聞４００年分の情報を保存することができます。
またこのカード１０枚で国会図書館の蔵書２２０万冊分の情報を貯蔵することもできます。
三星電子が開発に成功した４０ナノ３２ギガＮＡＮＤフラッシュメモリーは、１９７１年に初めて不揮発性メモリが開発されて以来使用されてきたフローティングゲート技術の限界を克服したＣＴＦ＝チャージ・トラップ・フラッシュ技術を世界で初めて取り入れたものです。