韓国の半導体メーカーの三星電子とハイニックス半導体が相次いで４０ナノ級のＤラム半導体の開発に成功しました。
ハイニックス半導体は８日、４４ナノ工程技術を取り入れた１ギガビットのＤラム半導体を開発したと発表しました。
ナノは１０億分の１メートルという単位で、小さければ小さいほど、半導体を製造する際の薄く丸いシリコン板の上に組み込む回路の幅を縮め、さらに性能をアップさせることができます。
ハイニックスが開発に成功した４４ナノ工程技術を用いたＤラムは、現在、量産中の５４ナノ工程のＤラムに比べますと、生産性がおよそ５０％向上しており、アメリカのインテル社の規格との互換性も満たしていることから、半導体市場が再び回復すれば、ハイニックスの主力製品になるとみられます。
ハイニックス半導体は、今年の第３四半期から量産体制に入り、来年からこのＤラムを使った多様な製品を生産する計画です。
これに先立って三星電子は４日、世界で初めて４０ナノ級工程技術を取り入れたＤラム製品を開発したことを明らかにしています。
三星電子は２００５年に６０ナノ級のＤラムを開発したのに続いて、２００６年には５０ナノ級Ｄラム、今年は４０ナノ級Ｄラムを相次いで世界で初めて開発したことになります。
三星電子はこの技術を取り入れた製品を年内に生産するとしています。