韩国国际广播电台报道：SK海力士将最先向英伟达(NVIDIA)供应高带宽存储器(HBM)第5代HBM3E DRAM内存芯片。继HBM3之后，SK海力士计划在世界上首次投入HBM3E大规模批量生产，巩固HBM市场的主导权。

SK海力士19日表示，将在世界上首次批量生产用于超高性能人工智能(AI)的存储器新产品HBM3E，并从本月底开始推向市场。这是SK海力士自去年8月宣布开发HBM3E后，时隔7个月再次宣布开发HBM3E产品。

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一款垂直连接多个DRAM的新型CPU和GPU内存芯片。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。在所有存储芯片中，HBM被视为“最适用于人工智能训练、推理的存储芯片”。HBM是一款具备比现有DRAM创新性地提高数据处理速度的高附加值、高性能的产品，HBM3E是HBM3的扩展版本。

SK海力士表示，继HBM3之后，呈现现有DRAM最高性能的HBM3E已最先供应给了客户。通过成功进行HBM3E的批量生产，继续保持人工智能存储器市场的竞争优势。

SK海力士推出的HBM3E每秒最多处理1.18兆字节(TB)的数据。 这相当于在1秒内处理超过230部全高清级电影(5GB)容量的数据。