サムスン電子の半導体工場の設計資料を不正に入手し、同様の工場を中国に建設しようとしたサムスン電子の元役員が、逮捕・起訴されました。 
 
水原（スウォン）地方検察庁は12日、産業技術保護法や不正競争防止法に違反した疑いなどで、サムスン電子の元役員の身柄を拘束し、起訴したと明らかにしました。
 
また、元役員が設立した半導体メーカーの従業員5人と、設計の図面を不正に入手したサムスン電子の協力会社の従業員1人、合わせて6人を、不正競争防止法に違反した疑いなどで在宅起訴しました。
 
逮捕された元役員は、2018年8月から2019年にかけて、サムスン電子の半導体工場の基本設計データのほか、生産ラインの配置図などを不正に取得した疑いが持たれています。
 
工場の設計データや生産ラインの配置図は、30ナノ級以下のDRAMや、NAND型フラッシュメモリを製造する半導体工場を建設する際に使われるもので、こうした半導体は国が指定する中核技術に該当します。
 
元役員は、中国の西安市にあるサムスン電子の半導体工場からわずか1.5キロメートル離れた場所に、サムスン電子の半導体工場を複製した工場を建てる目的で犯行に及んだとみられています。
 
実際には、台湾の電子製品メーカーからの8兆ウォン規模の投資が白紙となり、建設には至りませんでした。
 
この元役員は、サムスン電子で常務だったほか、SKハイニックスでは副社長を努めた経歴があり、韓国の半導体製造分野において影響力のある人物でした。