Công ty điện tử Samsung hôm thứ Tư (5/1) cho biết, đã phát triển chip DDR4 DRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) 1GB bằng công nghệ 30 nano đầu tiên trên thế giới.

Chip DDR4 DRAM nhanh gấp 2 lần so với loại chip DDR3 DRAM, loại chip chủ chốt của thị trường chất bán dẫn hiện hành. Ngoài ra, chip mới thân thiện với môi trường hơn và điện năng tiêu thụ sẽ giảm do điện áp hoạt động thấp hơn so với chip DDR3.

Đặc biệt, khác với các chip DDR3 DRAM vốn truyền tải dữ liệu tốc độ cao khi sử dụng điện áp 1,35 vôn hoặc 1,5 vôn, chip DDR4 mới được chạy bằng 1,2 vôn và chỉ tiêu thụ năng lượng bằng nửa so với loại chip DRAM hiện hành.

Theo công ty điện tử hàng đầu này, Samsung sẽ phát triển thêm loại chíp DDR4 DRAM 4GB bằng công nghệ 20 nano và tung ra thị trường vào năm 2012.