Hãng điện tử Samsung tuyên bố sẽ xây dựng hệ thống sản xuất đại trà bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) tốc độ nhanh nhất trong lịch sử, đi đầu thời đại mạng viễn thông 5G. 

Ngày 18/7, Samsung cho biết sẽ sản xuất đại trà DRAM LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) 12 GB dành cho điện thoại di động, tích hợp 8 chíp 12 GB công nghệ 10 nano-mét (1y) thế hệ hai từ tháng này.

Như vậy là Samsung đã thành công trong việc "nâng cấp" một lần nữa DRAM thế hệ mới, chỉ 5 tháng sau khi bắt đầu sản xuất đại trà DRAM LPDDR4X 12GB. Chiến lược của hãng là thông qua sản phẩm mới, đi đầu chiếm lĩnh thị trường chíp nhớ smartphone chủ lực thế hệ mới.

DRAM mới có tốc độ nhanh hơn gấp khoảng 1,3 lần so với loại thẻ nhớ lắp trên các smartphone giá thành cao hiện nay (5.500 Mb/giây). Với một con chíp 12 GB, smartphone có thể xử lý được 12 bộ phim độ phân giải Full HD dung lượng mỗi phim 3,7 GB (tổng 44 GB) chỉ trong vòng một giây. Ngoài ra, loại DRAM mới này giúp giảm tối đa 30% lượng điện tiêu thụ so với các sản phẩm trước đây.

Một quan chức của Samsung cho biết với việc sản xuất đại trà DRAM LPDDR5, hãng sẽ có thể cung cấp cho khách hàng một cách ổn định các tính năng quay phim chất lượng siêu rõ nét, trí tuệ nhân tạo (AI), học máy (machine runing) trên những chiếc smartphone chủ lực thế hệ mới sử dụng mạng 5G; vừa có thể tăng hiệu năng sử dụng của pin điện thoại.

Samsung đang xem xét phương án thiết lập hệ thống sản xuất đại trà DRAM LPDDR5 thế hệ mới dành cho điện thoại di động tại dây chuyền sản xuất mới nhất của hãng ở thành phố Pyeongtaek, tỉnh Gyeonggi, từ năm sau, nhằm đáp ứng nhu cầu của khách hàng toàn cầu.