Hãng SK Hynix ngày 3/8 đã ra mắt mẫu chíp nhớ NAND Flash 4D TLC (Triple-level Cell) dung lượng 512 Gb (gigabit) 238 lớp, và sẽ bắt đầu sản xuất đại trà từ nửa đầu năm 2023. 

SK Hynix đã công bố mẫu sản phẩm mới tại sự kiện "Flash Memory Summit" (FMS 2022) khai mạc tại thành phố Santa Clara, bang California (Mỹ).

NAND Flash là loại chíp nhớ có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi nguồn điện bị ngắt, trong đó không gian lưu trữ dữ liệu được xếp thành tầng, nên công nghệ xếp tầng được đánh giá là thước đo công nghệ với loại chíp này.

Công nghệ xếp tầng là công nghệ xếp thẳng đứng các lớp cell giống như một tòa nhà cao tầng, nhằm tăng dung lượng dữ liệu. Đây là công nghệ cao cần thiết để doanh nghiệp nâng cao năng lực cạnh tranh chíp nhớ NAND Flash.

Loại chíp 238 lớp lần này không chỉ nâng cao về số lớp mà còn được chế tạo với kích thước nhỏ nhất thế giới, trong khi hiệu suất được nâng lên 34% so với loại 176 lớp trước đó. Tốc độ truyền dữ liệu của loại 238 lớp là 2,4 GB/giây, nhanh hơn 50% so với loại trước, và tiết kiệm 21% năng lượng khi xử lý dữ liệu.

SK Hynix cho biết hãng đã phát triển thành công loại chíp thế hệ mới chỉ trong vòng một năm 7 tháng kể từ sau khi công bố chíp NAND 176 lớp vào tháng 12/2020.