Hãng SK Hynix ngày 29/8 giờ địa phương công bố đã phát triển thành công sản phẩm bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) DDR5 16 Gb áp dụng công nghệ thế hệ thứ 6. 

Theo SK Hynix, đối với công nghệ DRAM 10 nm, quy trình vi xử lý (thu nhỏ kích thước) sẽ ngày càng trở nên khó hơn qua mỗi thế hệ. Dựa trên trình độ công nghệ thế hệ thứ 5, đã được chứng minh là có hiệu suất tốt nhất trong ngành, hãng đã nâng cao độ hoàn thiện về mặt thiết kế cho sản phẩm, trở thành doanh nghiệp đầu tiên đột phá được hạn chế về mặt công nghệ.

SK Hynix có kế hoạch hoàn tất công tác chuẩn bị sản xuất đại trà DDR5 thế hệ 6 trong năm nay, để bắt đầu cung cấp sản phẩm cho thị trường từ năm sau. Sản phẩm này sẽ chủ yếu được sử dụng cho các trung tâm dữ liệu tính năng cao, với tốc độ xử lý là 8 Gbps (Gigabit trên giây), nhanh hơn 11% so với thế hệ 5. Hiệu suất năng lượng cũng được cải thiện hơn 9%.

Trong thời gian tới, hãng sẽ ứng dụng công nghệ trên vào sản phẩm HBM4E, bộ nhớ băng thông cao thế hệ 7. SK Hynix đặt mục tiêu tiếp tục đi đầu thị trường DRAM, củng cố vị thế là một doanh nghiệp giải pháp chíp nhớ AI hàng đầu thế giới.